半導體制造工藝對表面特性的控制要求極為嚴苛，其中接觸角測量技術已成為芯片生產過程中重要的表征手段。這項技術通過精確量化液體在芯片表面的潤濕行為，為光刻、清洗、鍍膜等關鍵工藝提供重要數據支持，直接影響著芯片的良率和性能。

一、半導體芯片接觸角測試的意義：

工藝控制：接觸角直接影響光刻膠的鋪展均勻性，不當的潤濕性會導致圖形轉移缺陷。

清洗效果評估：通過測量清洗前后接觸角變化，可評估表面污染物去除效率。

薄膜沉積優化：不同功能薄膜（如Low-k介質、鈍化層）的表面能差異需要通過接觸角精確調控。

可靠性分析：表面潤濕性與芯片的防潮性、抗腐蝕性密切相關。

二、測試方法與技術要點

1、樣品準備：

需在潔凈室環境下操作，避免顆粒污染

典型測試區域選擇芯片非圖形區或測試專用晶圓

2、測試液體選擇：

去離子水（標準參照）

二dian甲烷（非極性液體）

乙二醇（中等極性）

不同液體組合可計算表面自由能分量

3、先進測量模式：

動態接觸角（前進角/后退角）測量

高溫高濕環境模擬測試

微區接觸角測量（適用于圖案化表面）

接觸角測量已成為半導體制造中重要的表征手段，隨著芯片工藝節點不斷微縮，對表面潤濕性的控制要求將愈加嚴格。未來發展趨勢將聚焦于：更高空間分辨率的測量技術、與生產線集成的實時監測系統，以及結合大數據分析的工藝預測模型。該技術的持續創新將為半導體行業提供更精準的工藝控制解決方案。